Благодаря своим уникальным физическим и электронным свойствам карбид кремния используют для создания высокоэффективных, высокотемпературных, радиационностойких, а также высокочастотных электронных приборов. В таблице приводится сравнение основных электронных свойств политипов SiC (4H-SiC и 6H-SiC) с кремниевыми (Si) и арсенидгаллиевыми (GaAs) полупроводниковыми материалами.

Наименование	4H-SiC	6H-SiC	GaAs	Si
Ширина запрещенной энергетической зоны, эВ	3,26	3,03	1,43	1,12
Критическая напряженность электрического поля, МВ/см	2,2	2,4	0,3	0,25
Теплопроводность, Вт/см*К	3,0...3,8	3,0...3,8	0,5	1,5
Скорость объемного заряда электронов, см/с*10⁷	2,0	2,0	1,0	1,0

Основные преимущества SiC полупроводниковых материалов в сравнении с Si и GaAs:

Напряженность электрического поля 4Н-SiC при возникновении лавинного пробоя более чем на порядок превышает соответствующие показатели у Si и GaAs. Это приводит к значительному снижению удельного сопротивления в открытом состоянии Ron.
Малое удельное сопротивление в открытом состоянии, в сочетании с высокой плотностью тока и теплопроводностью, позволяет использовать очень маленькие по размерам кристаллы для силовых приборов.
Высокая теплопроводность SiC снижает тепловое сопротивление кристалла.
Электронные свойства приборов на основе SiC очень стабильны во времени и слабо зависят от температуры, что обеспечивает высокую надежность изделий.
Карбид кремния чрезвычайно устойчив к жесткой радиации, воздействие которой не приводит к деградации электронных свойств кристалла.
Высокая предельная рабочая температура кристалла (более 600⁰С) позволяет создавать высоконадежные приборы для жестких условий эксплуатации и специальных применений.