Каталог
Компоненты АСУ ТП
Встраиваемые системы
Компьютерные платформы
Электронные компоненты
Интегральные микросхемы и модули
Датчики и преобразователи физических величин
СВЧ приемопередающее оборудование
Оптоэлектронные приборы
Cree
Полупроводниковые материалы
 Свойства и характеристики SiC
 Стандартная спецификация подложек
 Параметры эпитаксии на SiC подложках
Полупроводниковые лампы XLamp
 Кристаллы светодиодов InGaN_SiC
 SiC и GaN СВЧ полупроводниковые приборы
MENTOR GmbH & Co.
Omron Components
XLight
Системы приема и отображения видеоинформации
Источники электропитания модульные
Соединители и электромеханические компоненты
Солнечные панели
Аудио-видео решения
Светотехника

Параметры эпитаксии на SiC подложках

Описание

Материалы Cree для высококачественных электронных приборов

Компания Cree остается лидером в разработке и исследованиях инновационных материалов. Cree специализируется на производстве материалов для силовой, СВЧ электроники и специальных оптоэлектронных приборов, которые необходимы для устройств с высокой эффективностью.

Компания Cree использует проверенную и надежную технику для исследования материалов

Компания Cree использует самые современные аналитические и технологические методы контроля, что всегда гарантирует высокое качество продукции. Cree предоставляет все данные о качестве эпитаксиальных слоев и подложек. Сертификат, который включает в себя техническую информацию об эпитаксиальных слоях и подложке, соответствующий спецификации материалов Cree, обязательно включается в отгрузочные документы.

Основные технические характеристики включают в себя:

  • Атомно-силовую микроскопию
  • Электронную микроскопию поверхности
  • Электродисперсную спектроскопию
  • Пропускание в УФ/видимом диапазоне
  • Точечное исследование сопротивления бесконтактным методом
  • Измерение вольт-фарадных характеристик с помощью ртутного зонда
  • Измерение фотолюминесценции при переменной температуре
  • Измерение эффекта  Холла при переменной температуре
  • Рентгеновские методы диагностики высокого разрешения:
    • Структура подложки в обратном пространстве
    • Кривые качания
    • Рефлектометрия

GaN

Технологии роста GaN подложек

Cree производит нитрид галлиевые подложки используя метод хлоридгидридной газофазной эпитаксии (HVPE)...
Cree

SiC

Параметры эпитаксии на SiC подложках

Стандартные параметры эпитаксиальных слоев на SiC подложках диаметром 50,8 мм, 76,2 мм и 100,0 мм
Cree
Все права защищены. ООО Научно-производственная фирма «Интек». г. Уфа, ул. 50 лет Октября, д. 15 • тел./факс: (347) 290-88-44 / 290-88-22 • www.intekufa.ruintek@intekufa.ru