Каталог
Компоненты АСУ ТП
Встраиваемые системы
Компьютерные платформы
Электронные компоненты
Интегральные микросхемы и модули
Датчики и преобразователи физических величин
СВЧ приемопередающее оборудование
Оптоэлектронные приборы
Cree
Полупроводниковые материалы
 Свойства и характеристики SiC
 Стандартная спецификация подложек
 Параметры эпитаксии на SiC подложках
Полупроводниковые лампы XLamp
 Кристаллы светодиодов InGaN_SiC
 SiC и GaN СВЧ полупроводниковые приборы
MENTOR GmbH & Co.
Omron Components
XLight
Системы приема и отображения видеоинформации
Источники электропитания модульные
Соединители и электромеханические компоненты
Солнечные панели
Аудио-видео решения
Светотехника

Полупроводниковые материалы

Увеличить изображение

Описание

Компания Cree - мировой лидер в области разработки технологий и производства материалов на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). Компания является ключевым поставщиком пластин монокристаллов SiC и эпитаксиальных подложек SiC и GaN диаметром 50,8 мм, 76,2 мм и 100,0 мм на мировой рынок.

Приборы, выполненные на основе материалов SiC и GaN компании Cree, находят применение в таких сферах, как:

  • Импульсные источники питания;
  • Гибридные двигатели;
  • Устройства связи военного и космического применения;
  • Радиолокационное оборудование.

 

Свойства и характеристики SiC

Стандартная спецификация подложек

Параметры эпитаксии на SiC подложках

Все права защищены. ООО Научно-производственная фирма «Интек». г. Уфа, ул. 50 лет Октября, д. 15 • тел./факс: (347) 290-88-44 / 290-88-22 • www.intekufa.ruintek@intekufa.ru
/